El año pasado se anunció públicamente que Toshiba y SanDisk se unirán para producir chips de memoria flash NAND de tres dimensiones que aumentarán la densidad, unidad de estado sólido y el rendimiento. Como era de esperar los frutos de esta unión han comenzado a madurar y se confirma que ya existe una nueva planta para la fabricación de un chip flash NAND 3D de 48 capas que duplica la capacidad de los chips anteriores.
Ya se están fabricando chips de 256Gbit, 3 bits por celda (X3) de 48 capas 3D NAND flash que ofrecen el doble de capacidad que la memoria densa más cercana.SanDisk está imprimiendo los chips de pruebas en su moderno conjunto de Yokkaichi, Japón junto a su socio, Toshiba. Otra muestra de que los japoneses continúan dominado el mercado de las tecnologías más novedosas y sorprendentes de la actualidad.
Se espera que los chips 3D NAND lleven flash incorporado con capacidad suficiente para almacenar 1TB de datos, mucho más que los de 64GB actuales de Toshiba que se utilizan en los teléfonos inteligentes y tabletas. Se espera su llegada al mercado el próximo año.
El innovador ship está basado en una tecnología de apilamiento vertical que Toshiba llama BiCS (Bit Cost Scalling), las nuevas tiendas de memoria flash almacenan tres bits de datos por transistor (celulares a nivel de triple o TLC), en comparación con el memoria de dos bits (multi-level cell anterior o MLC ) que Toshiba había estado produciendo con BiCS.
La novedosa tecnología de el “Chip BiCS” 256GB X3 de SanDisk está diseñado para su uso generalizado en productos de consumo, clientes, móviles y empresariales.
Según sus fabricantes este es “el primer chip X3 de 256GB del mundo, desarrollado y utilizando por nuestra tecnología de 48 capas BiCS líder en la industria y demostrando liderazgo continúo de SanDisk en la tecnología X3. Vamos a utilizar este chip para ofrecer soluciones de almacenamiento convincentes para nuestros clientes “.